硅纳米线，新突破！

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点击关注，获取更多前沿资讯/技术！ 文章名称： Deep-reactive ion etching of silicon nanowire arrays at cryogenic temperatures 期刊： Applied Physics Reviews IF 17 文章DOI： https://doi.org/10.1063/5.0166284 引言 在过去的二十年中，大面积具有高深宽比的纳米结构对于光学，电学，力学和热力学等领域的研究具有十分重要的意义，制备相关纳米结构的方法在学术和工业界都获得了持续的关注。目前，主流制备高深宽比纳米线阵列的方法是刻蚀法。刻蚀法通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种。湿法刻蚀工艺在进行制备高深宽比结构时，所制结构容易发生倒塌，严重影响器件质量。为了制备高质量的具有高深宽比的硅纳米线阵列，研究人员开发出了各种的干法刻蚀工艺。其中，低温刻蚀法由于具有可大面积制备纳米结构的潜能，被赋予众望。 成果概述 近日，德国Technische Universitat Brau ………………………………