三相维也纳PFC的主要功率器件损耗计算和热设计

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维也纳 PFC 整流器的主要损耗是由功率半导体器件，升压电感器和共模电感组成。热设计的关键是功率半导体器件损耗计算。在此设计中，所有 12 个 MOSFET 均为硬开关，通过开通能量 Eon 和关断能量 Eoff   来计算功率器件开关损耗。 根据相关文献，基于数据表和曲线拟合方法构建，通过查表找得到 Eon(ID;VDS) Eoff(ID;VDS) 的值 ， 用于计算某些中间的值。平均二极管电流 IFav 、均方根二极管电流 IFrms ，和均方根漏极电流 IDrm ，这些电流量可以用来计算器件传导损耗。从相关文献得到， IFav=IL M/4 、 IFrms = IL q 2M /3 Π、 IDrms = IL q 1/ 4-2M/ 3 Π . 其中 M 是调制指数， IL 是电感电流的幅度。二极管导通损耗 PCD 为 表示为如图公式 1 所示。值得注意的是，除了二极管的正向压降和电流导致的损耗之外，还需要考虑二极管的阻性损耗。 MOSFET 导通损耗 PCM 表示 ………………………………