金属空位，成就一篇Nature Catalysis！

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电催化讨论群-1： 529627044  光催化群-2： 927909706  过渡金属氧化物半导体中得到高效率的载流子分离是光电器件和催化器件应用的关键。但是，空穴和电子迁移率之间存在着巨大的区别，这种区别严重限制了器件性能。 有鉴于此， 中南大学刘敏教授、慕尼黑大学 Emiliano Cortés 等 开发了一种通过金属空位（ V M ）调控，降低空穴有效质量，增强空穴迁移率的普适性策略。通过引入 V M 显著改善空穴迁移率， WO 3 的迁移率提高 430% 、 TiO 2 的迁移率提高 350% 、 Bi 2 O 3 的迁移率提高 270 % 。 将这种 V M 设计概念用于光电催化分解水，发现载流子分离得到显著改善。 V M -WO 3 的光 - 电转换效率提高 4.4 倍，在小尺寸、大尺寸光电极都能够实现 4.8 mA cm -2 电流密度，且稳定工作的时间长达 120 h 。 理论计算 图 1.  能带结构理论计算 通过 PBE 和 HSE06 基组的 DFT 理论 ………………………………