照亮半导体创新之路（二）：EUV光刻技术与晶圆检测的前沿挑战

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在前一节中，我们介绍了几个关键行业推动了对更先进半导体的需求。所有这些市场都要求在采用特定工艺技术节点的晶圆厂中制造集成电路(IC)。通常，大多数工业和汽车电子解决方案需要成熟的技术节点，即28 nm或更大，而高性能计算和无线解决方案则需要前沿节点。 无论技术节点如何，Coherent高意都有解决方案，可以在IC制造过程中的前端和后端多个工艺步骤中提供激光器、光学元件和材料。 让我们一起先来看看前端制造中的这些关键步骤… 实现极紫外(EUV)光刻 光刻是半导体制造中的核心过程，涉及将掩模上的电路图案投射到硅片上的光敏层上，以创建实际的器件（例如晶体管）结构。 传统半导体光刻使用248 nm或193 nm的准分子激光器来实现这一点。这些激光器已经将行业带到了“10 nm节点”（节点是与电路元件的最小特征尺寸相关的术语）。 ………………………………