【公布】华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布；飞骧科技“功率放大器和芯片”专利获授权；隆利科技一专利获认证

主要观点总结

本文报道了华虹半导体、智芯微、一微半导体、飞骧科技和隆利科技等公司的专利公布或获授权情况。涉及专利包括低压超结mosfet的工艺方法、ADC转换结果的校准电路和芯片、片外存储器的读写控制时钟产生电路及系统等。此外，还简要介绍了各专利的用途和特点。

关键观点总结

关键观点1: 华虹半导体公布“低压超结MOSFET的工艺方法”专利

该专利提供了一种避免在柱体区注入时体区和柱体区在沟道区连接在一起的技术方案。

关键观点2: 智芯微公布“对ADC转换结果进行校准的校准电路、方法及芯片”专利

该专利涉及模数转换器技术领域，公开了一种提高ADC转换精度和速率的技术。

关键观点3: 一微半导体公布“片外存储器的读写控制时钟产生电路、片外存储器及系统”专利

该专利提供了一种在片外存储器内部产生读写操作所需的时钟脉冲信号的技术方案。

关键观点4: 飞骧科技“功率放大器和芯片”专利获授权

该专利提供了一种单独工作于不同工作频率且电路功耗低的功率放大器和芯片。

关键观点5: 隆利科技一专利获认证，可使背光装置薄型化

该专利提供了一种改善面光源均匀出光的直下式背光装置，实现了背光装置的薄型化和均匀的面光源出光。

文章预览

1.华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布 2.智芯微“对ADC转换结果进行校准的校准电路、方法及芯片”专利公布 3.一微半导体“片外存储器的读写控制时钟产生电路、片外存储器及系统”专利公布 4.飞骧科技“功率放大器和芯片”专利获授权 5.隆利科技一专利获认证，可使背光装置薄型化 1.华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布 天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布，申请公布日为2024年10月11日，申请公布号为CN118762996A。 本发明提供一种低压超结MOSFET的工艺方法，在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层；利用离子注入的方法在外延层表面形成第二导电类型的体区，之后对体区进行热扩散推进；在体区上形成硬掩膜层和光刻胶层；光刻打开光刻胶层以定义出栅沟槽的 ………………………………