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复杂氧化物薄膜因其丰富的物理特性和多功能性在逻辑器件、存储器和光学器件中具有重要应用。然而,这些高质量氧化物薄膜通常需要昂贵的单晶基底,这限制了其广泛应用。因此,通过可回收基底来实现薄膜生长的可持续性具有重大意义。 普渡大学 汪海燕 课题组报道了在回收的 SrTiO 3 (STO) 基底上进行外延薄膜生长的研究。该研究详细比较了在回收的 STO 基底与原始 STO 基底上生长的薄膜在微观结构及物理特性上的差异。 研究表明,回收基底表面由于之前沉积的氧化物层引入了预应变状态,这对后续生长的薄膜微观结构和性能产生了显著影响。具体而言,通过高分辨透射电子显微镜( STEM )和几何相位分析( GPA )观察到,回收基底上的表面应变状态与原始基底有所不同,这种应变状态的差异直接影响了薄膜的结晶质量和物理性能。此外,
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