主要观点总结
文章介绍了极紫外光刻技术的发展现状，特别是高能加速器研究机构正在研究的极紫外自由电子激光技术。虽然阿斯麦目前推出的机器已经具有较高的功率和效率，但仍然存在光源亮度不足、运营成本高昂等问题。高能加速器研究机构的团队正在研究利用自由电子激光技术进行极紫外光刻，认为该技术能够提供更亮的光源、更高的效率和更低的成本。然而，该技术面临诸多挑战，包括技术难题、资金问题等。文章还提到其他公司也在进行相关研究，但阿斯麦目前更倾向于激光产生等离子体路线图。
关键观点总结
关键观点1: 极紫外光刻技术是芯片制造的关键技术之一，但目前存在光源亮度不足和运营成本高昂等问题。
文章介绍了阿斯麦等公司目前的极紫外光刻技术发展现状，指出其存在的挑战。
关键观点2: 高能加速器研究机构正在研究极紫外自由电子激光技术，该技术能够提供更亮的光源、更高的效率和更低的成本。
文章详细阐述了高能加速器研究机构的极紫外自由电子激光技术的研究进展和优势。
关键观点3: 极紫外自由电子激光技术面临诸多挑战，包括技术难题、资金问题等。
文章指出了高能加速器研究机构在研究过程中遇到的技术挑战和资金问题。
关键观点4: 其他公司也在进行相关研究，但阿斯麦目前更倾向于激光产生等离子体路线图。
文章介绍了其他公司和阿斯麦的研究进展和倾向。
文章预览
摆动的电子可以加快极紫外光刻技术的发展。 英特尔、三星、台积电以及日本即将落成的先进晶圆代工厂Rapidus都计划在每平方毫米的硅片上放置更多晶体管，它们有一个共同点，那就是支撑其工作的极紫外（EUV）光刻技术极其复杂、非常昂贵且运营成本相当高昂。主要原因是，生产这种系统的13.5纳米光源的过程非常精准且花费颇巨，需要用世界上最强大的商业激光器轰击飞行的熔融锡滴。 不过，有一种非常规的替代方案正在酝酿之中。高能加速器研究机构（KEK，位于日本筑波市）的一组研究人员认为，如果利用粒子加速器的力量，极紫外光刻可能会更便宜、更快捷、更高效 。（注：去年国内炒作的清华大学的EUV光刻机替代方案SSMB应该与这个类似） 甚至在晶圆厂安装第一批极紫外机器之前，研究人员就发现，也许可以利用一种由粒子加速器产生
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