青岛科技大学林健健教授团队：钒掺杂诱导氧空位调节MoO2电子结构作为高性能锂离子电池负极

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科学材料站 文 章 信 息 钒掺杂诱导氧空位调节MoO 2 电子结构作为高性能锂离子电池负极 通讯作者：高孟友*，林健健* 单位：青岛科技大学 科学材料站 研 究 背 景 作为一种高效的锂离子存储材料，二氧化钼(MoO 2 )仍然存在固有电子导电性差和体积膨胀大的问题，导致其循环寿命和倍率性能不理想。杂原子掺杂策略成为解决上述问题的一种流行方法。本文通过金属氧酸盐约束热解策略将V掺杂MoO 2 纳米颗粒成功封装在聚乙烯吡咯烷酮衍生碳框架中。在MoO 2 中掺杂V原子可以调节其电子结构，诱导氧空位的形成，从而提高其电导率，改善反应动力学。此外，具有足够空间的分级多孔碳骨架不仅可以抑制V-MoO 2 纳米颗粒的聚集，还可以缓解锂离子引起的机械应力插入的过程。因此，优化后的V-PCM电极具有优异的锂存储性能，包括高初始比容量(0.1 A g −1 时为 ………………………………