SmartMat Perspective：基于二维材料的场效应晶体管的原子尺度界面工程

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SmartMat 精选文章 Perspective 文章信息 Xiangyu Hou, Tengyu Jin, Yue Zheng, Wei Chen . Atomic-scale interface engineering for two-dimensional materials based field-effect transistors .  SmartMat. 2024; 5: e1236. https://doi.org/10.1002/smm2.1236 识别二维码或点击左下角 “阅读原文 ”访问全文 1 文章简介 无悬垂键的二维（2D）材料由于具有原子厚度和优异的电子性能，有可能成为下一代场效应晶体管（FETs）的理想沟道材料。然而，基于二维材料的FET的性能仍然取决于电极/介电体和二维材料之间的界面，仍需要克服几个技术挑战，如提高设备稳定性，减少接触电阻和提高移动性。本文主要研究了原子尺度界面工程对二维场效应管接触电阻和介电层的影响。提供了实现欧姆接触和开发高质量、无缺陷介电层的通用策略。此外，还简要分析了二维材料基场效应晶体管的性能提升和与硅衬底的结合 。 2 ………………………………