技术洞察 | 在LLC转换器中使用氮化镓开关，益处多多

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本文作者 作者  Dr. Gökhan Sen, Milko Paolucci, Sriram Jagannath 在初级侧采用氮化镓开关以实现更高的频率已被业界广泛接受。在LLC转换器中使用氮化镓（GaN）开关的好处包括： 较低的输出电荷（Q oss ），可降低零压开关（ZVS）所需的循环电流较低的栅极电荷（Q g ），可降低栅极驱动损耗较高的开关速度可降低较高开关频率下的占空比损耗。 除此之外，氮化镓开关还具有其他已知特性，如单位面积导通电阻（R DS(on) ）更低、无反向恢复（Q rr ）等。 迄今为止，尽管MOSFET的Q g 相关损耗比GaN高，但它通常作为LLC转换器的同步整流器 (SR) 出现在次级侧。另一方面，研究表明，次级开关的高输出电容（C oss ）会增加初级开关节点的等效电容（如变压器寄生（绕组间）电容），从而使 ZVS需要更高的峰值磁化电流（i Lm ）。由于环流增加，初级侧的有效值电流也随之 ………………………………