东南大学，Nature Electronics！

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研究背景 二维材料LED是一类基于二维过渡金属二硫属化合物（TMDs）的发光器件，因其在显示和光通信等领域的潜在应用而备受关注。与传统的体相半导体材料相比，二维材料具有量子限域效应和介电屏蔽效应减弱等特点，使其在纳米级光电器件设计中具有出色的性能。然而，二维材料LED在高激子生成率下易出现激子–激子湮灭（EEA）效应，这导致量子效率的迅速下降，成为该材料应用于高性能发光器件的一大挑战。 鉴于此， 东南大学章琦，吕俊鹏以及倪振华等人 携手在“Nature Electronics”期刊上发表了题为“Light-emitting diodes based on intercalated transition metal dichalcogenides with suppressed efficiency roll-off at high generation rates”的最新论文。该团队通过氧等离子体插层的方式，制备了基于少层二硫化钼（MoS 2 ）和二硫化钨（WS 2 ）的脉冲发光二极管（LED）。这种 ………………………………