实现重要概念突破！MIT中国博后研制超高效3D晶体管

主要观点总结

麻省理工学院博士后邵彦杰在nature electronics发表论文，报道了一种纳米级晶体管，克服了硅半导体技术的局限性，能更高效替代硅技术。这项研究使用了不同于硅的半导体材料，设计出了隧穿场效应晶体管，实现了陡峭的开关斜率和高电流，为电子设备提供更高效运行的可能性。文章还介绍了研究过程中的挑战和突破，以及作者邵彦杰的科研经历和心得。

关键观点总结

关键观点1: 纳米级晶体管的研究与突破

麻省理工学院博士后邵彦杰开发出一种纳米级晶体管，克服了传统硅晶体管的局限性，实现了高能效和高性能。该研究使用新型半导体材料和三维设计，实现了陡峭的开关斜率和高电流。

关键观点2: 科研过程中的挑战

研究过程中面临了设计尺寸更小的晶体管、寻求替代硅的半导体材料以及实现陡峭的开关斜率等挑战。邵彦杰通过精确控制晶体管的三维几何形状，克服了这些难题。

关键观点3: 科研经历与心得

邵彦杰对物理学感兴趣，从小就有成为科学家的梦想。他在科研过程中经历了反复失败和自我怀疑，但最终成功制造出了高效的纳米级晶体管。他的导师对他的工作表示肯定，认为这项成果是一个概念上的突破。

文章预览

加 星标 ，才能不错过每日推送！方法见文末插图 麻省理工学院的研究人员开发了一种迄今可能最小的三维晶体管，它比目前的硅基晶体管更节能、更强大。博士后邵彦杰是这项研究的主要作者，他抛却了传统物理学思考问题的常规角度，基于量子力学原理实现了概念突破。 撰文  | 路飞 硅凭借其稳定的化学性质和易得性，一直是半导体材料的首选。但随着算力需求不断增长，传统硅半导体场效应晶体管因玻尔兹曼分布所带来的基本限制，难以通过器件微缩进一步提高能效。近日，麻省理工学院 （MIT） 博士后邵彦杰在 nature electronics 发文，证明纳米级晶体管或可克服硅半导体技术的局限性。 “这是一项有潜力取代硅的技术，你可以使用它来实现硅目前拥有的几乎所有功能，但能效更高。”邵彦杰说。 邵彦杰丨图源：本人提供 “拆东墙补西墙可 ………………………………