博士生一作！北京大学「国家杰青」团队， Nature Materials！

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【做计算 找华算】 理论计算助攻顶刊， 50000+ 成功案例，全职海归技术团队、正版商业软件版权！ 开学季钜惠来袭，电催化计算首单7折！ 研究背景 随着半导体技术的不断发展，硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（FET）已成为现代集成电路（IC）发展的主流，从过去几十年一直延续到未来的昂斯特朗时代。然而，硅基FET已经接近其性能和能效的极限，尤其是在继续缩小特征尺寸的过程中面临诸多挑战。尽管最新的硅基门控全方位（GAA）纳米片FET通过四面门控结构预期能够进一步延续晶体管的小型化进程，但半导体产业仍在努力克服缩放限制，例如晶体管的供电电压（VDD）和栅长不能降低至0.6V以下或12nm以下。上述挑战主要源自材料本身，尤其是当特征尺寸缩小至5nm以下时，硅纳米片通道会因共价悬挂键界面的散射效应而出现显著性能下降。 二维 ………………………………