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文章链接: https://www.nature.com/articles/s41563-024-01986-x 合成可以延伸的研究内容: 拓展阳离子自相生长结构的描述符定义 :未来的研究可以致力于开发更加准确和全面的描述符,以更好地预测和设计具有所需功能的阳离子自相生长晶体结构。这将有助于筛选和合成更多具备独特电化学特性的III-V范德华晶体。 单层剥离技术的开发和优化: 实现这些III-V范德华晶体的单层剥离是进一步研究的重要步骤。未来的研究应专注于开发能够高效剥离这些晶体至单层的技术,以研究其在单层状态下的物理和化学特性,从而探索其在纳米级电子器件中的应用潜力。 规模化合成与实际应用开发: 为了推动这些III-V范德华晶体在电子、光子学和催化领域的应用,必须研究如何将实验室中的合成技术扩展到大规模生产。研究内容应包括合成工艺的优化、材料的性能
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