中国科学院苏州纳米所张凯等封面论文：利用双向气相输运方法实现厘米级黑磷单晶片的高产量生长

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黑磷凭借其高载流子迁移率、广泛可调的直接带隙及面内各向异性等优异的性质，被认为是一种极具潜力的二维半导体材料。尽管当前对黑磷已经进行了大量的研究，但制备大尺寸高质量的黑磷单晶仍然存在挑战 。 近日， 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯研究员 等人 在 Science China Materials 发表 研究论文，提出了双向气相输运（ BVT ） 策略，实现了每批次数十片厘米级黑磷单晶薄片的生长 。 本文要点 1)  通过一系列的结构和光谱表征，证明了其卓越的晶体质量和高纯度。所生长的黑磷单晶薄片具有光滑的解理面，能够轻松剥离成大面积的纳米片。 2)  基于此方法制备的黑磷场效应晶体管表现出优异的电学性能，包括高达 1150 cm 2 V −1 s −1 的载流子迁移率和约 10 6 的电流开关比。 3)  此方法同样适用于黑磷的掺杂体系，如黑砷磷、 ………………………………