彭海琳课题组与合作者首次发现隐藏自旋极化诱导的偶数量子霍尔效应

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1 研究背景 2024年7月22日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授研究团队与南京大学袁洪涛教授团队、以色列威兹曼研究院颜丙海教授团队在《自然—纳米技术》（ Nature Nanotechnology ）在线发表了题为“Even-integer quantum Hall effect in an oxide caused by a hidden Rashba effect”的研究论文，报道了二维铋基半导体硒氧化铋（Bi 2 O 2 Se）中新奇的隐藏自旋极化，并首次发现了偶数量子霍尔效应。 视频：硒氧化铋中偶数量子霍尔效应的发现 量子霍尔效应是20世纪以来凝聚态物理学中最重要的科学发现之一。二维电子气系统在低温强磁场下，单电子能量会分裂成朗道能级，此时霍尔电阻随强磁场变化不再满足线性关系，而出现量子化平台，且是常数 h/e 2 除以整数或某特定分数（朗道能级的填充因子）。这种整数和分数量子霍尔效应分别在1980年和1982年在实验中被发 ………………………………