微硕半导体SGT MOSFET助力立创电子设计开源大赛

文章预览

据最新的消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经四年自主研发，成功突破了 沟槽型碳化硅MOSFET芯片 制造的关键技术 ， 标志着我国在这一领域实现了首次重大突破。 在这个创新驱动的时代，作为第九届立创电子设计开源大赛（ DIY.SZLCSC.COM ） 的协办单位， 微硕半导体(WINSOK) 推出了 SGT工艺新品 。目前大赛报名和项目提交于 10月24日 截止，还没有报名或完善项目的请尽快完成！ 图源：微硕半导体 SGT这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变为更为压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻，减小热阻。 目前微硕半导体（WINSOK）新一代的 低、中压的功率MOSFET ，广泛的采用这种技术，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSF45N10G、WSR170N04G等。 SGT工艺的优点 SGT工艺MOSFET和普通沟槽型MOSFET相比 ………………………………