碳纳米管如何变革EUV光刻领域

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（本文编译自ElectronicDesign ） 碳纳米管为防止极紫外光刻（EUV lithography）中的缺陷提供了一种颠覆性的解决方案，助力半导体行业朝着极致微型化发展，并提升芯片可靠性。 在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶颈。 High-NA EUV光刻面临小型化挑战 晶体管不断向3纳米及更小尺寸发展，这要求其制造过程必须完美无缺。在21世纪前十年，这种惊人的尺寸缩减趋势（90 纳米缩小到7纳米甚至更小）开启了技术进步的新时代。 在过去十年里，我们见证了将500亿个晶体管集成在单个芯片上这一惊人之举。这一成就得益于极紫外（EUV）光刻这一前沿工艺，它使用了EUV ………………………………