浙大伍广朋课题组Angew Chem：可水显影的二氧化碳基深紫外化学放大光刻胶

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随着芯片小型化进程的飞速发展，开发高性能光刻胶已经成为半导体芯片制造领域的重要环节。化学放大光刻胶是目前集成电路制造应用最广泛的光刻胶材料，通过构建光酸催化的酸解反应，光刻胶的灵敏度可以实现数量级的提升，弥补了光刻机光源功率下降导致的效率问题。 碳酸酯基团和缩醛基团具有较低的酸解活化能，是传统化学放大光刻胶中重要的酸敏感性结构，但由于其过低的活化能，此类光刻胶在放置过程中易产生暗反应，影响储存和光刻稳定性，并且在光刻过程中易发生自显影现象，产生的挥发性物质将污染光刻机镜头 。 此外，传统化学放大光刻胶使用神经毒素四甲基氢氧化铵作为显影液，这给从业人员的身体带来了健康威胁。在2004年至2009年的五年间，台湾曾报道涉及12名工人的9起不同程度的四甲基氢氧化铵暴露事件，其中三人 ………………………………