Nat. Commun.：具有本征表面氧空位的三价稀土氧化物的催化性能

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纳米催化群-1： 256363607  氧空位 (O v ) 是广泛存在于金属氧化物晶格中的阴离子缺陷，例如 CeO 2 、 TiO 2 和 ZnO 。由于 O v 可以改变固体的能带结构，从而改善物理化学性质，例如半导体性能和催化行为。 近日， 山东大学 Chun-Jiang Jia ，清华大学 Jun Li ，伦敦大学学院 Feng Ryan Wang 报道了一种新型 O v ，它是完美晶体表面的本征部分。 本文要点 要点1.  这种非缺陷的  O v 源于三价稀土氧化物 (RE 2 O 3 ) (111) 平面中的不规则六边形锯齿状结构。 要点2.  具有这种本征 O v 结构的材料在具有表面 Ru 活性位点的氨分解反应中表现出优异的性能。 在 Sm 2 O 3 、 Y 2 O 3 和 Gd 2 O 3 表面，当 Ru 负载量约为 1 wt% 时，实现了极高的 H 2 形成率，比文献中报道的值高 1.5-20 倍。 本征 O v 的发现表明稀土氧化物在非均相催化和表面化学领域具有巨大的应用潜力。 ………………………………