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摘 要 自整流忆阻器在无需额外选择器的情况下,能够有效避免交叉阵列架构中的潜行电流和单元间信号干扰。金属卤化物钙钛矿因其天然的电子-离子动力学特性,在忆阻器件的发展中展现出巨大的应用潜力。然而,卤化物钙钛矿忆阻器研究起步晚,目前尚缺少有关卤素钙钛矿自整流忆阻器件的研究报道。近日, 南京工业大学王琳教授团队 成功在单一钙钛矿 (NH₂CHNH₃)₃PbI₅(简称(IFA)₃PbI₅)中实现了自整流忆阻器。 文章简介 研究发现,位于Ag和ITO交叉电极阵列之间的 (IFA)₃PbI₅ 材料,其碘离子极易被激活并发生扩散或迁移行为,该行为在阻变与整流行为中发挥了关键作用:碘离子在体相中的迁移助力实现忆阻行为;碘离子与 Ag 电极发生反应促进了界面 AgI 的自发形成,其中 n 型 AgI 与 p 型 (IFA)₃PbI₅ 的完美组合促使器件产生了类似于 p-n
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