研究前沿：NTU刘政团队-氧化镓，高κ栅介质 | Nature Electronics

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具有良好介电性能的金属氧化物层沉积技术，是制造基于二维半导体的晶体管栅极电介质的关键步骤。然而，在二维半导体上沉积超薄金属氧化物层的当前技术，不利于晶体管性能的质量问题。 今日，新加坡 南洋理工大学（Nanyang Technological University）Kongyang Yi, Wen Qin，刘政Zheng Liu等，在Nature Electronics上发文，通过挤压打印和表面张力驱动的方法，在二硫化钼(MoS2)表面上，制备了自然生长的氧化镓（Ga2O3），这是在周围环境中的液态金属表面上，自然形成的超薄且均匀产物。 氧化镓Ga2O3层，具有约30高介电常数和约0.4nm等效氧化物厚度。因为良好的介电性能和范德华集成特性，具有Ga2O3栅介质的MoS2晶体管，表现出了低至60mVdec-1的亚阈值摆幅、10^8开/关比和低至约4×10^-7Acm^-2的低栅漏电流。 Integration of high- κ  native oxides of gallium for two-dimensional transistors.  ………………………………