国产光刻机7nm技术曝光！

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天眼查显示，上海微电子装备（集团）股份有限公司于9月10日披露了一项名为“ 极紫外辐射发生装置及光刻设备 ”的发明专利，申请日期为2023年3月9日，申请号为CN202310226636.7，发明人为王伟伟、付辉、卢嘉玺、张洪博、蔡万宠、张子辰。 据介绍，本发明提供了一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，极紫外辐射发生装置包括腔体； 靶材发生器；激光发生器，用于向靶材发射激光并产生带电粒子及极紫外光；设于腔体内的收集器镜，用于沿收集器镜的光轴收集并反射极紫外光；设于腔体内的若干电极板，相邻电极板之间形成有电场，利用电场约束带电粒子及利用电极板收集不同极性的带电粒子；以及，气控部件，用于产生氢自由基，其经过电极板与带电粒子反应形成气体并排出。 本发明中，利用电场约束带电粒子的轨迹，使带电粒子被收集至电极 ………………………………