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当地时间5月21日美股盘前,美国存储芯片大厂美光(Micron)财务长Matt Murphy在摩根大通全球科技、媒体和传播大会上表示,2024年资本支出预测将达约80亿美元,高于此前预计的75亿美元,主要是为了投资高带宽內存(HBM)产量。 美光首席运营官Manish Bhatia表示,HBM业务规模将在2025会计年度增长至数十亿美元。 同时,美光2025年HBM內存供应 谈判基本上已经都完成。 其已与下游客户基本敲定了2025年HBM订单的规模和价格。 美光预测,在未来数年间其HBM的位元产能的复合年成长率将达到50%。 而为了应对HBM的强劲市场需求,美光基本上调升了2024财年的资本支出金额,预计从75~80亿美元(约台币2,395亿元~2,550亿元),提升到80亿美元。 至于,在HBM技术发展上,美光于本季先前时候就开始提供12层堆叠的HBM3E內存样品。这12层堆叠的HBM产品,为容量提升50%的新品,
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