台懋半导体 | MOS 管结构，原理及基本应用(三)

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A, 和晶体三极管相比的重要特性； 1 ）． 场效应管的源极 S、栅极 G、漏极 D 分别对应于三极管的发射极 e、基 极 b、集电 极 c，它们的作用相似，图 1-6所示是 N 沟道 MOS 管和 NPN 型晶体三极管引脚，图 1-6-B 所示是 P 沟道 MOS 管和 PNP 型晶体三极 管引脚对应图。 2)．场效应管是电压控制电流器件，由   VGS   控制 ID，普通的晶体三极 管是电流控制电流 器件，由 Ib   控制 I c 。 MOS   管道放大系数是（跨 导   gm）当栅极电压改变 1V 时能引起漏 极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（ β)   当基极电流 Ib 改变 1mA 时 能引起集电极电流 Ic 变化多少。 3)．场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流 I b 决 定集电极电流 Ic 。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入 电阻高的多。 4)．场效应管只有多数载流子参与导 ………………………………