主要观点总结
本文对比了场效应管和晶体三极管的重要特性。包括它们的结构、工作原理、放大系数、温度稳定性、输入电阻、噪声系数、开关速度等方面的差异。特别是在开关电源电路中的应用，场效应管的优势包括高输入阻抗、快速开关速度、无二次击穿现象以及导通后呈纯阻性等，使其逐渐取代普通晶体三极管。
关键观点总结
关键观点1: 场效应管和晶体三极管的结构和工作原理不同。
场效应管源极、栅极、漏极的作用与三极管相似，但场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，而普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由Ib控制Ic。
关键观点2: 场效应管具有更高的输入电阻和更好的温度稳定性。
因为场效应管的栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流，且只有多数载流子参与导电，所以其输入电阻比三极管的高得多，温度稳定性也更好。
关键观点3: 场效应管在开关电源电路中具有优势。
场效应管具有高输入阻抗、快速开关速度、无二次击穿现象以及导通后呈纯阻性等优点，使得它在开关电源电路中的应用中逐渐取代普通晶体三极管。
关键观点4: 场效应管在源极未与衬底相连时特性变化不大。
这是场效应管的一个重要特性，源极和漏极可以互换使用，而三极管在集电极与发射极互换使用时特性差异很大。
关键观点5: 场效应管的噪声系数很小。
在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中最好选用场效应管。
文章预览
A, 和晶体三极管相比的重要特性； 1 ）． 场效应管的源极 S、栅极 G、漏极 D 分别对应于三极管的发射极 e、基 极 b、集电 极 c，它们的作用相似，图 1-6所示是 N 沟道 MOS 管和 NPN 型晶体三极管引脚，图 1-6-B 所示是 P 沟道 MOS 管和 PNP 型晶体三极 管引脚对应图。 2)．场效应管是电压控制电流器件，由 VGS 控制 ID，普通的晶体三极 管是电流控制电流 器件，由 Ib 控制 I c 。 MOS 管道放大系数是（跨 导 gm）当栅极电压改变 1V 时能引起漏 极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（ β) 当基极电流 Ib 改变 1mA 时 能引起集电极电流 Ic 变化多少。 3)．场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流 I b 决 定集电极电流 Ic 。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入 电阻高的多。 4)．场效应管只有多数载流子参与导
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