技术前沿：“环抱”晶体管与“三明治”布线

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英特尔稳步推进“四年五个制程节点”计划，加速实现在2025年推出尖端的制程节点Intel 18A。英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，首次成功集成于Intel 20A制程节点，也将用于Intel 18A。   RibbonFET：栅极“环抱”晶体管 通过RibbonFET晶体管，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构。在晶体管中，栅极扮演着关键的开关角色，控制着电流的流动。RibbonFET使得栅极能够全面环绕带状的晶体管沟道，这一创新带来了三大优势： 节约空间 晶体管沟道的垂直堆叠，相较于传统的水平堆叠，大幅减少了空间占用，有助于晶体管的进一步微缩； RibbonFET晶体管与FinFET晶体管（鳍式场效应晶体管）的对比示意图 性能提升 栅极的全面环绕增强了对电流的控制，无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快， ………………………………