SEMI-e 2024 | 蓉矽半导体第二代1200V SiC MOSFET荣获“年度优秀产品奖”

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SEMI-e第六届深圳国际半导体展 1111111111111 6月26-28日，SEMI-e第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心进行。 作为半导体领域具有影响力和代表性的行业盛会，SEMI-e为产业链的升阶发展搭建了平台，塑造了产业交流融合的新生态。 蓉矽半导体受邀参展并荣获年度优秀产品奖。 Power For A Green Future 年度优秀产品奖：第二代1200V SiC MOSFET 1111111111111 “年度优秀产品奖” 评选采用“五大维度+双审制”评审制度，由超过6万名的企业评审团+专家评审团，分别从参评企业的产品性能、价格竞争力、技术创新客户服务、市场销量等五大指标进行评分。专家评审团由半导体行业专家、科研院校副教授及以上级别人士、资深工程师、企业高管资深媒体老师 & 分析师等专业人士组成。 产品特点 Features 1.低比导通电阻 蓉矽半导体第二代1200V 20mΩ SiC MOSFET相较前代产品， ………………………………