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本文由作者团队受邀供稿 ！ 一、研究背景： 在半导体工业中，取代方法在合金化、掺杂和产生异质结方面非常有用。目前，化学取代已扩展到二维（2D）材料的掺杂和合金化，显示出开发原子级精度制造方法的巨大潜力。 已经确定了两种主要的化学取代模式：表面直接取代模式和面内扩散取代模式 。表面直接取代模式包括通过离子注入、热退火、和化学气相沉积等用外来元素取代原子的方法。这种方法可以精确控制取代原子的数量，允许从2D材料发展到2D合金，最终发展到其他2D材料。 与表面的直接取代不同，面内扩散模式从材料的边缘或晶界(这些位置通常具有较低的取代势垒)开始，并以类似扩散的方式逐渐取代元素。然而，面内扩散模式的具体机理仍未得出定论，对其扩散界面仍缺乏系统研究 。同时，如何实现高度可控的面内扩散方法仍
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