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文章链接: https://www.nature.com/articles/s41467-024-54050-2 亮点: 1. 精准掺杂技术 :开发了一种替位掺杂方法,可实现晶圆级2H-MoTe₂薄膜的特定p型或n型掺杂,填补了二维材料掺杂技术的空白。 2. 单步空间选择性合成 :通过单步生长技术,实现了二维薄膜中p型与n型区域的空间选择性掺杂,为单片集成提供了全新解决方案。 3. 高性能二维CMOS阵列 :首次制备了芯片级二维CMOS反相器阵列,展示了优异的电学性能和高制造良率。 4. 推动集成电路微缩化 :研究成果为二维材料在CMOS逻辑器件中的应用提供了技术支持,有望加速晶体管微缩化和层间互连技术的发展。 摘要 二维(2D)半导体材料中可控的p型与n型沟道图案化及精准掺杂技术,长期以来一直是阻碍使用单一范德华材料实现互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑电路的重要挑战。然而,这一
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