王越&李德力&黄维AFM：一种稳定的卤化物钙钛矿忆阻器，采用创新的银/铋电极替代金电极

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钙钛矿忆阻器因其易于制造、对光和电刺激高度敏感而在类脑计算中展现出巨大的潜力。然而，常用的昂贵金属电极，如金（Au）和不稳定的银（Ag），限制了其稳定性和更广泛的应用。 在本研究中， 福建师范大学王越，李德力和南京工业大学黄维院士等人 提出了一种具有成本效益的钙钛矿忆阻器，采用新型的银/铋（Ag/Bi）双层电极，作为金电极的可行替代品，同时保持出色的性能。该设计防止了电化学反应和不稳定金属丝的形成，实现了可控的混合电子/离子导电性。此外，Ag/Bi双层电极的低功函数降低了内建电压，有助于导电丝的形成和保持，从而提高了器件的性能和稳定性。该忆阻器展示了高开/关比（102）、优异的耐久性（约800个周期）、长时间保持（>10⁴秒）和与基于金电极的器件相当的存储稳定性。 此外，它还表现出类脑突触行为，包 ………………………………