制造400层3D NAND，存储大厂将引入低温蚀刻技术

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据日本媒体报道，存储器大厂铠侠近日宣布，将从其第10代NAND产品开始，在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术，以进一步提升生产效率，并追赶全球领先的竞争对手。 报道称，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并决定采用低温蚀刻技术。该技术允许在更低温的环境下进行蚀刻，从而使存储器的存储单元间的存储通孔（memory hole）以更快的速度形成。 而这种效率的提升不仅可以减少生产时间，还能大幅提高单位时间的生产量。相比传统的电浆蚀刻法，低温蚀刻的加工速度提升了约4倍，标志着存储技术的一次重要革新。 2023年6月，Tokyo Electron成功开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术。 该设备可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。 TEL当时表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，产生了具有极高蚀刻速率的系统。 这项创新技术可在短 ………………………………