下一代芯片技术的重大突破

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：ic b ank）编译自ibs，谢谢。 由韩国基础科学研究所 (IBS) 范德华量子固体中心主任 JO Moon-Ho 领导的研究小组实施了一种新方法，实现了宽度小于 1 纳米的一维金属材料的外延生长。该小组应用此工艺开发了一种用于二维半导体逻辑电路的新结构。值得注意的是，他们使用一维金属作为超小型晶体管的栅极电极。 基于二维半导体的集成器件即使在原子尺度的材料极限厚度下仍具有优异的性能，是全球基础和应用研究的一大热点。然而，要实现这种可以在几纳米范围内控制电子运动的超小型晶体管器件，更不用说开发这种集成电路的制造工艺，一直面临着巨大的技术挑战。 半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和控制效率，栅极电极控制晶体管中的电子流动。在 ………………………………