【专利】旗芯微“叉指电容单元和叉指电容阵列”专利获授权；壁仞科技“光模块调试方法、工具和系统”专利公布；

主要观点总结

华羿微电子公司获得名为“一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片”的专利授权；苏州旗芯微半导体公司获得名为“叉指电容单元和叉指电容阵列”的专利授权；上海壁仞科技股份有限公司公布“光模块调试方法、工具和系统”专利。此外，还有一些与半导体行业相关的新闻热点被报道。

关键观点总结

关键观点1: 华羿微电子专利授权

华羿微电子公司获得一项专利授权，该专利涉及MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片，可有效解决上下桥误导通问题，并广泛应用于各类半桥式或相近拓扑结构的电源、电机驱动等领域。

关键观点2: 旗芯微专利授权

苏州旗芯微半导体公司获得一项名为“叉指电容单元和叉指电容阵列”的专利授权，该发明适用于模数转换器或数模转换器，提升了防辐射效果。

关键观点3: 壁仞科技专利公布

上海壁仞科技股份有限公司公布了一种光模块调试方法、工具和系统，通过向光模块的处理单元发送停止控制指令和调试指令，实现光模块的在线调试，提高调试效率和灵活性。

关键观点4: 半导体行业新闻热点

包括芯片巨头获政府拨款、中国实施新的出口管制、半导体并购、网络设备巨头裁员、全球集成电路产业百强城市出炉等相关新闻。

文章预览

1.华羿微电“一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片”专利获授权； 2.旗芯微“叉指电容单元和叉指电容阵列”专利获授权； 3.壁仞科技“光模块调试方法、工具和系统”专利公布； 1.华羿微电“一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片”专利获授权； 天眼查显示，华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片”的专利，授权公告号为CN118117857B，授权公告日为2024年8月9日，申请日为2024年4月30日。 本发明公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片，该电路包括：驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间，驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接，驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接，控制端用于与MOS或IGBT的栅极连接；驱动检测触发电路内设置有基准 ………………………………