第7代IGBT正开始在储能领域大放异彩

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电子发烧友网报道（文/黄山明）在储能技术高速发展的今天，更强的发电与蓄电能力，更高的能源管理效率，更稳定的输送能力都是相关企业追求的方向，这就需要功能更强的IGBT来满足当前储能技术的高需求，而第七代IGBT的出现，正好契合当前储能的发展需要。 第7代IGBT正加速发展 IGBT的发展可以追溯至20世纪80年代，最初的IGBT采用了平面穿通（PT），这种IGBT通过重掺杂的P+衬底开始，但是存在负温度系数、通态压降一致性差等问题，不利于并联使用。尽管如此，它开启了IGBT在电力电子领域的应用。 随着时间的推移，IGBT经历了多次迭代，从非穿通（ NPT）结构到场截止（ FS）结构的转变，栅极结构也从平面型转向沟槽型（Trench）。这些改进逐步提升了IGBT的性能，包括降低导通压降、缩短开关时间、提高断态电压等，这也是IGBT从第二代到第五代的 ………………………………