研究透视：片上集成激光-硅基半导体 | Nature

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硅光子学是一项快速发展的技术，有望彻底改变通信、计算和感知世界的方式。然而，缺少高度可扩展的、原生互补金属氧化物半导体（CMOS）集成光源是阻碍广泛应用的主要因素之一。尽管在硅上混合与异质集成III–V族光源，取得了相当大的进展，但通过直接外延III–V族材料的单片集成，仍然是具有成本效益较高的片上光源。 今日，比利时微电子研究中心 (imec) Yannick De Koninck, Charles Caer, Didit Yudistira，Bernardette Kunert & Joris Van Campenhout等，在Nature上发文，报道了基于一种全新的集成方法，即纳米脊工程，在CMOS试验生产线上，在300-mm Si（001）晶圆上，完全制造了电驱动砷化镓（GaAs）基激光二极管。 具有嵌入式p-i-n二极管和InGaAs量子阱的GaAs纳米脊波导，在晶圆规模上高质量生长。在晶圆上的300多个器件中，演示了波长约为1，020nm室温连续波激光，阈 ………………………………