技术 | SiC MOSFET 栅极应力测试

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了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。 在本文中，我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。这些数据是在 APEC 2024 会议上由奥维耶多大学 (西班牙) 电源系统组和 onsemi (比利时) 合作提供的。 SiC MOSFET 中的直流与交流栅极应力效应 多年来，SiC MOSFET 的栅极氧化物可靠性一直是研究的重点。研究发现，氧化物/SiC 界面会导致关键器件参数发生巨大变化，例如阈值电压 (V th )、导通电阻 (R DS(on)  ) 和早期寿命故障。栅极氧化物工艺的改进（包括氮化）显著提高了栅极氧化物在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性。这些测试来自 硅 器件测试，包括： 时间相关的介电击穿测试， ………………………………