碳化硅的新爆发

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随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来，功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。 SiC作为第三代半导体以其优越的性能，在今年再次掀起风潮。  01 6英寸到8英寸的过渡推动 由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。 SiC具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有了较为广泛的应用。而在进入8英寸后，每片晶圆中理论上可用的裸片数量将大大增加。根据Wolfspeed财报说明上的数据，单从晶圆加工成本来看，从6英寸升级到8英寸，晶圆成本是增加的，但从8英寸晶圆中获得的优良裸片（die）数 ………………………………