0.7nm工艺，最新分享

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 近二十年来，人们已经清楚地认识到，受摩尔定律启发的纯尺寸缩放不再是预测 CMOS 技术节点演进的唯一指标。第一个迹象出现在 2005 年左右，当时固定功率下的节点到节点性能改进（称为 Dennard 缩放）开始放缓。逐渐地，半导体行业开始用其他技术创新来补充以光刻为中心的缩放，以保持性能-功率-面积-成本优势：晶体管级的材料和架构探索、标准单元级的设计技术协同优化以及由 3D 集成技术实现的系统技术协同优化。 在晶体管层面，由于尺寸缩小而导致的性能下降源于短沟道现象。栅极长度大幅减少和导电沟道缩短的结合导致漏电流增加，即使栅极上没有施加电压也是如此。同样，源极和漏极对缩小沟道区域的影响也急剧增加。 这些短沟道效应推动了芯片行业从平面 MOSFET 过渡到 FinFET，最近 ………………………………