功率器件-MOSFET的雪崩耐量机理与扩展

文章预览

引言 雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标，那么什么是雪崩耐量呢？即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。它对步进电机，开关电源等终端产品的安规及可靠性有着紧密的影响。新洁能是国内为数很少的、拥有自主半导体器件工艺设计能力的功率集成电路设计公司，显著区别于只能采用晶圆厂标准工艺制程的一般设计公司。新洁能应用团队从功率器件的雪崩原理入手详细为大家介绍以下几点: 1、雪崩击穿的原理与介绍； 2、单脉冲雪崩与重复雪崩的测试原理有什么不同； 3、雪崩击穿失效机理是什么； 4、如何在应用设计中提升电路的抗雪崩能力； 一、 雪崩击穿的原理与介绍 当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后，半导 ………………………………