ACS Nano:通过低温阴离子交换和厚度调制在晶圆级二维硒化钯层中引入半导体到金属的转变

主要观点总结

该文章介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材，器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析。文章重点介绍了关于低温和厚度调制下的二维PdSe 2 层上的半导体到金属转变的研究。研究者通过化学气相沉积（CVD）法实现大面积生长二维PdSe 2 层，并通过厚度调制和阴离子交换（Se-to-Te）系统引入了从半导体到金属的强烈转变。这一研究可用于制造晶圆级的全二维柔性器件。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

二维过渡金属二硫化物（TMD）层的研究迅速发展，特别是其形态和化学成分依赖的电学和光学性质变化。

关键观点2: 研究重点

基于钯（Pd）的TMD，如二硒化钯（PdSe 2 ）层，因其加工工艺简便、成本低、环境稳定性好等特点逐渐受到关注。研究者通过直接硒化Pd前驱体薄膜，在低温下实现大面积生长二维PdSe 2 层，并通过厚度调制和阴离子交换实现半导体到金属的转换。

关键观点3: 研究成果

利用这些受控的转换特性，可以在晶圆级制造出采用半导体二维层通道和金属二维层电极的“全二维”柔性器件。

关键观点4: 文献信息

详细介绍了该研究的相关文献信息，包括文章来源、文献链接等。

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