韩国研究人员成功构建小于1nm的晶体管

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7月11日消息，近日韩国基础科学研究所范德华量子固体研究中心主任JO Moon-Ho领导的研究团队，通过在硅上生长二维和一维结构，成功构建出栅极电极尺寸小于1nm的晶体管。 据介绍，该研究团队采用新工艺开发了一种以一维金属为栅极电极的二维半导体逻辑电路新结构，实现了宽度小于1nm的一维金属材料的外延生长。 IEEE 的《国际器件与系统路线图》（IRDS）预测，到 2037 年，半导体技术节点将达到 0.5nm左右，晶体管栅极长度为 12nm。韩国研究团队证明，由一维 MTB 栅极施加的电场调制的通道宽度可以小至 3.9nm，大大超出了此前对于未来的预测。 基于二维半导体的集成器件是全球基础研究和应用研究的重点，但要控制电子在几纳米范围内的运动，更不用说开发这些集成电路的制造工艺，已经面临巨大的技术挑战。 韩国研究团队利用二维半导体二硫化 ………………………………