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【做计算 找华算】 理论计算助攻顶刊，50000+成功案例，全职海归技术团队、正版商业软件版权！ 经费预存选华算，高至16%预存增值！ 研究背景 半导体二维材料基于III–V 族化合物，因其在电子和光电子应用中的巨大潜力而成为研究热点。然而，探索这类二维材料面临诸多挑战，其中最显著的问题是缺乏同时具备半导体和忆阻特性的材料。尽管顶化学方法已成功合成了多种二维材料，但具有忆阻特性的半导体二维材料仍较为稀缺，这限制了记忆晶体管的发展。记忆晶体管作为三端门控可调忆阻器的混合结构，将忆阻器的记忆属性与晶体管的开关能力结合在一起，为实现复杂功能和简化交叉条阵列的地址选择提供了新的可能性。 为解决这一挑战，科学家们采用了创新的软化学方法，通过选择性去除 A–B–X 三元化合物中的阳离子 A 来生产层状 B–X ………………………………