2024，AEM——首次实现大规模p型FGFET存储阵列：基于2H-MoTe2的创新

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文章链接： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202400386             摘要 基于过渡金属二硫族化物（TMDCs）的首次大规模p型浮栅场效应晶体管（FGFET）存储阵列已成功制备。通过化学气相沉积生长的无缝共平面2H-和1T′-MoTe 2 分别作为沟道和源/漏电极，高介电常数Al 2 O 3 层作为隧道层和阻挡层。阵列式的Pd/Au用作浮栅和顶栅。该器件的整体性能在已报道的TMDCs基FGFET存储器中表现优异。典型器件在±10 V和±5 V的栅极电压扫描范围内分别表现出约11.5和2.8 V的大存储窗口，以及约10 4 和10 3 的开关比，具有超过10 5 秒的长保留时间和超过5×10 4 次编程/擦除循环的良好应力耐受性。通过施加短时的±5 V电压脉冲，可精确调节器件的电导。该器件的良品率分别在±10 V和±5 V条件下达到100%和93%。整个制造过程无需转移，且与传统硅技术兼容。此项工作为TMDCs在大 ………………………………