HBM需求火爆

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查看更多机构调研纪要、电话会纪要 请关注【纪要研报中心】 更多报告PDF与音频文件加微信： Y1206859索取 声明：本文仅梳理公司和行业的最新基本面，并非在当前时间点推荐买卖公 司，本文不具备个股操作指导功能，投资有风险，入市需谨慎 SK海力士今日宣布，扩建含 HBM 在内的DRAM产能，计划投资约5.3万亿韩元(约280亿人民币)建设M15X晶圆厂，长期总投资将超20万亿韩元(约1056亿人民币)。 存储周期转向供不应求，龙头积极扩产 & 调升 稼动率 此前周期下行，海力士暂停M15X建设。而因库存去化与HBM对产能的挤占（HBM 3E相比DDR5消耗3倍晶圆），行业逐渐转向供不应求。DRAM指数自21年年中跌价64%后，目前已底部上涨33%。NAND指数自21年年中跌价63%后，目前已底部上涨95%。 海力士重启建厂，且M15X的总资本开支从此前的15增至20万亿；三星近期亦将平均稼动率 ………………………………