河南大学&中科大&北交大，三校联合重磅Nature！

主要观点总结

文章主要介绍了量子点发光二极管（QD-LEDs）的研究进展，特别是无镉QD-LEDs中基于绿色InP基量子点的技术挑战和创新解决方案。研究团队通过使用电致瞬态吸收光谱（EETA）技术，发现绿色InP基QD-LEDs效率低下的原因，并提出通过调整ZnSe中间层厚度来控制电子注入和泄漏的策略，实现了高外部量子效率和长寿命的QD-LEDs。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

量子点发光二极管（QD-LEDs）因高量子效率和出色单色性成为下一代显示和照明技术的潜力股。但使用镉（Cd）基II–VI族量子点的QD-LEDs因有毒元素限制了实际应用。无镉QD-LEDs特别是绿色InP基QD-LEDs的效率和稳定性面临挑战。

关键观点2: 研究成果

研究团队使用电致瞬态吸收光谱（EETA）发现绿色InP基QD-LEDs效率低下的根源在于ZnSeS中间层限制了电子浓度。通过调整ZnSe中间层厚度以减少泄漏，实现了高峰值外部量子效率26.68%和长寿命QD-LEDs。

关键观点3: 创新点

通过使用EETA技术确定问题根源，并用加厚的ZnSe中间层改善电子注入和抑制泄漏。实现策略被Wentzel–Kramers–Brillouin（WKB）量子隧道模型合理解释。

关键观点4: 数据概览与成果启示

文章提供了相关的图表和数据概览，展示了研究成果的具体数据和表现。揭示了无镉QD-LEDs的潜在挑战和解决方案，以及该研究在显示和照明技术中的实际应用前景。

文章预览

0 1 【导读】 量子点发光二极管（QD-LEDs）因其高量子效率和出色的单色性，有望成为下一代显示和照明技术的领军者。目前最先进的QD-LEDs是使用镉（Cd）基II–VI族量子点制备，但有毒的Cd元素限制了它们的实际应用。基于InP、ZnSe和ZnTeSe的量子点被认为是Cd基量子点的理想非毒性替代品，在实现高效率和稳定性方面已经取得了显著进展。然而，尽管在材料和器件工程方面做出了巨大努力，通常使用绿色InP基量子点的绿色无Cd QD-LEDs仍然具有较低的外部量子效率（EQEs）（16.3%），这对完全无Cd QD-LEDs显示和照明提出了严峻挑战。与基于CdSe的量子点相比，基于InP的量子点的电子有效质量较低，这应该可以使得电子注入更容易。然而，InP的导带最小值更高，这可能导致更高的电子注入势垒，特别是在基于绿色InP的QD-LEDs中，这些相互交织的因素使得这些器件中 ………………………………