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引言 这篇文章的目的就是来看看芯片的物理结构，拿LPDDR5举例。 通过逐步深入探讨LPDDR5内存的 物理结构 ，到文章结束时，您将清晰了解与LPDDR5内存相关的关键术语，包括： LPDDR5 IOs：命令总线（CA）、数据总线（DQ/DQS）、芯片选择（CS）、时钟（CK） Bank和Bank组架构 Rank和页面大小 LPDDR5内存通道 x16/x32/x64宽度的解释 我们将从单个DRAM存储单元开始，逐步探索它是如何构成焊接在PCB上的完整内存封装的。 图0：从存储单元到存储封装 LPDDR5内存芯片 单个存储单元 在最底层，一个位本质上是一个电容器，用于存储电荷，而晶体管则作为开关。由于电容器会随时间放电，信息最终会消失，除非电容器被定期“刷新”。 这就是DRAM中“D”的来源——它指的是“动态”，与SRAM中的“静态”相对应。 Bank, Rows and Columns 当你放大一级视图时，你会注意到存储单元
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