ACS Nano：垂直耦合Fe3GaTe2/CrSBr磁性范德华异质结中自旋倾斜促进的交换偏置操控

主要观点总结

文章介绍了关于二维范德华磁性材料的研究进展，特别是交换偏置现象。文章指出二维材料在研究交换偏置现象方面具有潜力，并报道了一种自旋正交排列的二维异质结的研究结果。该异质结实现了高达1730 Oe的偏置场效应，并具有可切换的符号和可调的幅度。此外，文章还提供了关于二维材料耗材、微纳加工服务和测试分析的信息。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景与进展介绍

文章介绍了二维范德华磁性材料在研究交换偏置现象方面的潜力。

关键观点2: 二维异质结的研究结果

报道了一种自旋正交排列的二维Fe3GaTe2(FGaT)/CrSBr异质结，在低温下实现了高达1730 Oe的偏置场效应，并展示了其独特的机制分析。

关键观点3: 实验结果的阐述

采用不对称场扫描方法有效地操纵了器件的零场冷却EB，表现出可切换的符号和可调的幅度。

关键观点4: 相关服务和产品信息

提供了关于二维材料耗材、微纳加工服务和测试分析的信息，包括上海昂维科技有限公司提供的服务。

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