降低EUV光刻使用成本，设备巨头宣布！

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：ic b ank）编译自tomshardware，谢谢。 东京电子 推出了 Acrevia，这是一款新型气体团簇光束 (GCB) 系统，专为细化 EUV 光刻创建的图案而设计。该工具采用低损伤表面处理，可用于多种用途，包括减少即将推出的节点的 EUV 多重图案化使用量、增强线边缘粗糙度以降低性能变化、减少随机光刻缺陷，并最终降低芯片制造成本并提高产量。 现代 EUV 光刻工具采用 0.33 数值孔径光学元件（Low NA EUV），一次曝光即可实现 13 纳米至 16 纳米的临界尺寸，实现大批量生产。印刷 26 纳米最小金属间距就足够了，对于 3 纳米级工艺技术而言是可以接受的。为了在 2 纳米级生产节点及以上节点印刷金属间距更小的更精细电路，芯片制造商必须使用采用 0.55 数值孔径光学元件（High NA EUV） ………………………………