SK海力士首次披露3D DRAM生产良率

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在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体会议 "VLSI 2024 "上，SK hynix提交了一份关于3D DRAM的研究论文，论文指出，SK海力士的五层堆叠的 3D DRAM 的生产良率达到了 56.1%。这意味着，在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中，生产出了约 561 个可行器件。实验中的 3D DRAM 显示出与目前使用的 2D DRAM 相似的特性，这一点在所提供的数据中也得到了强调。这是 SK hynix 首次披露其 3D DRAM 开发的具体数据和运行特性。 电子工程专辑讯 近日，据BUSINESSKOREA报道称，在6月16日至6月20日于美国夏威夷举行的半导体会议 "VLSI 2024 "上，SK hynix提交了一份关于3D DRAM的研究论文，论文指出，SK海力士的五层堆叠的 3D DRAM 的生产良率达到了 56.1%。这意味着，在单个测试晶圆上制造的约 1,000 个 3D DRAM 中，生产出了约 561 个可行器件。实验中的 3D DRAM 显示出与目前使用的 ………………………………