瑶芯技术分享 | 多层外延技术超结MOSFET应用

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前言 随着新能源、电动汽车、人工智能等产业蓬勃发展，一定程度上带动了功率器件尤其是 超结（SJ）MOSFET 的强劲需求。以瑶芯微为代表的国产半导体新锐品牌，顺势推出基于超级结多层外延技术的 全新G2.5平台超结MOSFET 。 瑶芯微基于G2.5平台推出 两大电压等级(600V & 650V） 、 多个封装 系列的SJ MOSFET。其中采用TOLL封装的多款产品已实现量产，其 紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力 ，可提高开关速度、降低成本，并能提高系统效率和可靠性等方面，在各种 消费级、工业级和车规级 功率电子场景中得到广泛应用。 G2.5平台SJ MOSFET相关特性 G2.5平台SJ MOSFET 通过调节垂直PN结的浓度分布，充分利用超结结构的电荷平衡，同时优化终端结构，在满足击穿电压的同时 极大降低了比导通电阻 ，使得在较小的TOLL封装里 ………………………………